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半導(dǎo)體制造高潔凈要求:TEKHEN TK-100TR-EX 傳感器助力氣體濕度精準(zhǔn)管控

發(fā)布時間:2025-09-01 點(diǎn)擊量:57

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在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,“潔凈" 是貫穿全流程的核心準(zhǔn)則 —— 從晶圓清洗、薄膜沉積到光刻蝕刻,每一個環(huán)節(jié)對環(huán)境與物料的純度要求都達(dá)到了納米級甚至原子級標(biāo)準(zhǔn)。其中,工藝氣體的濕度管控尤為關(guān)鍵:即使微量水汽(露點(diǎn)溫度高于 - 60℃dp),也可能與硅晶圓發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化層,導(dǎo)致芯片電路短路;或在低溫工藝中凝結(jié)成微小液滴,破壞光刻膠涂層精度;更可能與特種工藝氣體(如氨氣、硅烷)反應(yīng)生成雜質(zhì)顆粒,直接影響芯片良率。TEKHEN 防爆露點(diǎn)傳感器 TK-100TR-EX 憑借其高精度、高穩(wěn)定性與適配性,成為半導(dǎo)體制造中氣體濕度管控的 “精準(zhǔn)衛(wèi)士"。

一、半導(dǎo)體制造對氣體濕度的嚴(yán)苛要求:為何必須精準(zhǔn)控濕?

半導(dǎo)體制造中,工藝氣體(如氮?dú)?、氧氣、氫氣、氬氣等)不僅是載氣、保護(hù)氣,更是部分制程的核心原料,其濕度水平直接關(guān)聯(lián)三大關(guān)鍵環(huán)節(jié):


  1. 晶圓氧化與腐蝕防控:硅晶圓是半導(dǎo)體芯片的基底,在高溫沉積或清洗工藝中,若氣體中水汽含量超標(biāo)(露點(diǎn)>-50℃dp),水汽會與硅表面發(fā)生氧化反應(yīng)生成 SiO?薄膜。這層 “意外氧化層" 會改變晶圓導(dǎo)電性能,導(dǎo)致后續(xù)電路圖案蝕刻偏差,甚至造成芯片功能失效。

  2. 光刻工藝精度保障:光刻環(huán)節(jié)需要在晶圓表面涂覆光刻膠,并通過紫外線曝光形成電路圖案。若環(huán)境或載氣中存在微量水汽,會使光刻膠涂層出現(xiàn) “針孔" 或 “氣泡",曝光后電路邊緣模糊,無法滿足 7nm、5nm 等先進(jìn)制程的線寬精度要求。

  3. 設(shè)備與工藝穩(wěn)定性維護(hù):半導(dǎo)體制造設(shè)備(如氣相沉積設(shè)備、離子注入機(jī))的內(nèi)部腔體為高真空或高壓環(huán)境,若氣體攜帶水汽進(jìn)入,可能在腔體壁凝結(jié)成液滴,與腔體金屬材質(zhì)反應(yīng)生成銹蝕顆粒;同時,水汽還可能與工藝氣體(如硅烷 SiH?)反應(yīng)生成固態(tài)硅氧化物,堵塞氣體管路或噴嘴,導(dǎo)致設(shè)備停機(jī)維護(hù),增加生產(chǎn)成本。


據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),因氣體濕度管控不當(dāng)導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片良率下降,平均會使企業(yè)生產(chǎn)成本增加 15%-20%。因此,選擇一款能滿足 “高精度、寬適配、高可靠" 的露點(diǎn)監(jiān)測設(shè)備,是半導(dǎo)體制造企業(yè)的必然需求。

二、TEKHEN TK-100TR-EX 傳感器:匹配半導(dǎo)體需求的核心技術(shù)優(yōu)勢

針對半導(dǎo)體制造的高潔凈、高穩(wěn)定性要求,TEKHEN TK-100TR-EX 防爆露點(diǎn)傳感器從測量精度、適配性、安全性等維度進(jìn)行了專項(xiàng)優(yōu)化,契合工藝場景需求:

1. 超寬量程 + 高精度,覆蓋全流程濕度監(jiān)測需求

半導(dǎo)體制造不同環(huán)節(jié)對氣體露點(diǎn)的要求差異較大:例如晶圓清洗環(huán)節(jié)需控制露點(diǎn)≤-40℃dp,而先進(jìn)光刻環(huán)節(jié)則要求露點(diǎn)≤-70℃dp。TEKHEN TK-100TR-EX 的測量范圍覆蓋 **-100℃~+20℃dp**,不僅能滿足半導(dǎo)體全流程的濕度監(jiān)測需求,更能精準(zhǔn)捕捉微量水汽變化 —— 其測量精度達(dá)**±2℃dp**,在 - 60℃~-20℃dp(半導(dǎo)體核心管控區(qū)間)的精度偏差可控制在 ±1.5℃dp 內(nèi),確保數(shù)據(jù)真實(shí)反映氣體濕度狀態(tài),為工藝調(diào)整提供可靠依據(jù)。


同時,該傳感器采用電容法測量原理,檢測元件通過吸附水汽改變電容值,響應(yīng)速度快(從 - 60℃dp 階躍到 - 30℃dp 的響應(yīng)時間<10 秒),能實(shí)時追蹤氣體濕度波動,避免因滯后性導(dǎo)致的管控失準(zhǔn)。

2. 寬壓 + 寬流量適配,兼容半導(dǎo)體復(fù)雜工藝環(huán)境

半導(dǎo)體制造中,工藝氣體的輸送壓力與流量因設(shè)備不同差異顯著:例如氣相沉積設(shè)備的氣體壓力可達(dá) 10MPa,而載氣輸送流量通??刂圃?1~5L/min。TEKHEN TK-100TR-EX 具備10??Pa~30MPa的超寬工作壓力范圍,既能適配高真空的離子注入機(jī),也能滿足高壓工藝設(shè)備的監(jiān)測需求;流量適配性同樣出色 —— 采用傳感器塊時支持1~20L/min流量,直接插入式安裝支持0.5~10m/s流速,無需額外調(diào)整工藝氣體參數(shù),即可無縫集成到現(xiàn)有氣體管路中。


此外,傳感器的檢測元件采用惰性材料封裝,與半導(dǎo)體常用工藝氣體(氮?dú)?、氬氣、氫氣等)無化學(xué)反應(yīng),且表面經(jīng)過特殊鍍膜處理,不易吸附粉塵或有機(jī)雜質(zhì),契合半導(dǎo)體行業(yè)的高潔凈標(biāo)準(zhǔn),避免對工藝氣體造成二次污染。

3. 本質(zhì)安全型防爆設(shè)計(jì),適配潔凈車間安全規(guī)范

雖然半導(dǎo)體潔凈車間以惰性氣體為主,但部分工藝(如氫氣退火)會使用易燃易爆氣體,且車間內(nèi)存在大量精密電氣設(shè)備,對監(jiān)測設(shè)備的安全性要高。TEKHEN TK-100TR-EX 獲得日本 TIIS 防爆認(rèn)證,可與絕緣屏障組合構(gòu)成本質(zhì)安全型防爆系統(tǒng),能用于0 區(qū)危險(xiǎn)場所(氣體持續(xù)或長時間存在的區(qū)域),即使在氫氣泄漏等場景下,也不會產(chǎn)生電火花引發(fā)安全事故,為潔凈車間的安全生產(chǎn)提供雙重保障。

4. 標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出,便于與工藝控制系統(tǒng)聯(lián)動

半導(dǎo)體制造依賴自動化控制系統(tǒng)(如 PLC、DCS)實(shí)現(xiàn)工藝參數(shù)的實(shí)時調(diào)控。TEKHEN TK-100TR-EX 提供4-20mA 模擬信號輸出,可直接接入車間現(xiàn)有控制系統(tǒng),無需額外加裝信號轉(zhuǎn)換器;同時支持 12~28VDC 寬電壓供電,功耗≤1W,不會對車間供電系統(tǒng)造成負(fù)擔(dān)。工作人員可通過控制系統(tǒng)實(shí)時查看氣體露點(diǎn)數(shù)據(jù),當(dāng)濕度超標(biāo)時,系統(tǒng)可自動觸發(fā)報(bào)警或調(diào)整除濕設(shè)備,實(shí)現(xiàn) “監(jiān)測 - 預(yù)警 - 調(diào)控" 的閉環(huán)管理。

三、TEKHEN TK-100TR-EX 在半導(dǎo)體制造中的典型應(yīng)用場景

憑借上述技術(shù)優(yōu)勢,TEKHEN TK-100TR-EX 已在半導(dǎo)體制造的多個核心環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)成熟應(yīng)用,為工藝穩(wěn)定與良率提升提供支持:

1. 工藝氣體輸送管路監(jiān)測

在半導(dǎo)體工廠的中央氣體供應(yīng)系統(tǒng)(CGS)中,工藝氣體從儲罐輸送到各設(shè)備的管路長達(dá)數(shù)十米,若管路接頭密封不嚴(yán),可能導(dǎo)致外界濕氣滲入。將 TEKHEN TK-100TR-EX 安裝在管路關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)(如設(shè)備入口前),可實(shí)時監(jiān)測氣體露點(diǎn)變化:當(dāng)露點(diǎn)高于設(shè)定閾值(如 - 50℃dp)時,系統(tǒng)立即報(bào)警,工作人員可及時排查泄漏點(diǎn),避免不合格氣體進(jìn)入設(shè)備。

2. 光刻膠涂覆與曝光環(huán)節(jié)濕度管控

光刻環(huán)節(jié)對環(huán)境與載氣濕度的要求最為嚴(yán)苛,若載氣(通常為氮?dú)猓┲兴瑯?biāo),會直接影響光刻膠的涂覆均勻性。在光刻設(shè)備的載氣入口處安裝 TEKHEN TK-100TR-EX,可實(shí)時監(jiān)測氮?dú)饴饵c(diǎn),確保其穩(wěn)定控制在 - 70℃dp 以下;同時,傳感器數(shù)據(jù)可與光刻設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)聯(lián)動,當(dāng)濕度波動時,自動調(diào)整除濕裝置功率,避免因濕度變化導(dǎo)致的光刻偏差。

3. 晶圓退火工藝的氫氣濕度監(jiān)測

部分半導(dǎo)體工藝(如硅晶圓退火)需使用氫氣作為保護(hù)氣,以防止晶圓氧化。氫氣屬于易燃易爆氣體,且其濕度若超標(biāo)(露點(diǎn)>-40℃dp),會在高溫下與晶圓表面反應(yīng)生成雜質(zhì)。TEKHEN TK-100TR-EX 的防爆設(shè)計(jì)可確保在氫氣環(huán)境中安全運(yùn)行,同時精準(zhǔn)監(jiān)測氫氣露點(diǎn),保障退火工藝的穩(wěn)定性,減少晶圓表面缺陷。

四、本土化服務(wù) + 標(biāo)準(zhǔn)溯源,為半導(dǎo)體企業(yè)提供長期保障

除產(chǎn)品性能外,TEKHEN 還為半導(dǎo)體企業(yè)提供全周期服務(wù)支持:該傳感器采用國內(nèi)開發(fā)、制造、校準(zhǔn)模式,可追溯至國家標(biāo)準(zhǔn)(中國計(jì)量科學(xué)研究院校準(zhǔn)),確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與一致性;同時,TEKHEN 擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),可根據(jù)半導(dǎo)體企業(yè)的工藝需求提供定制化安裝方案(如潔凈室專用支架、防干擾布線設(shè)計(jì)),并提供上門校準(zhǔn)服務(wù),避免因傳感器校準(zhǔn)導(dǎo)致的設(shè)備停機(jī)時間。


對于半導(dǎo)體制造企業(yè)而言,TEKHEN TK-100TR-EX 不僅是一款高精度的露點(diǎn)監(jiān)測設(shè)備,更是工藝穩(wěn)定、良率提升的 “可靠伙伴"—— 通過精準(zhǔn)管控氣體濕度,從源頭減少因水汽導(dǎo)致的工藝缺陷,助力企業(yè)在先進(jìn)制程競爭中占據(jù)優(yōu)勢。


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